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氮化镓晶体生长技术书籍详细信息
- ISBN:9787511465214
- 作者:暂无作者
- 出版社:暂无出版社
- 出版时间:暂无出版时间
- 页数:232
- 价格:暂无价格
- 纸张:暂无纸张
- 装帧:暂无装帧
- 开本:暂无开本
- 语言:未知
- 丛书:暂无丛书
- TAG:暂无
- 豆瓣评分:暂无豆瓣评分
内容简介:
本书属Springer材料科学系列教材之一,主要内容涉及目前蓬勃发展的高亮度可见光LED及照明工程等相关领域。包含的内容主要有:GaN体材料的应用前景、GaN材料的卤化物气相外延生长技术、采用GaN籽晶技术生长GaN体材料、采用真空辅助技术生长自支撑GaN衬底、采用卤化物气相外延生长技术生长非极性与半极性GaN、GaN高生长速率的金属有机物气相外延法、热氨法生长GaN体材料、高/低压环境下的GaN生长技术、Na流量法生在大尺寸GaN技术简介、GaN晶体的表征方法等内容。
书籍目录:
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出版社信息:
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其它内容:
书籍介绍
本书属Springer材料科学系列教材之一,主要内容涉及目前蓬勃发展的高亮度可见光LED及照明工程等相关领域。包含的内容主要有:GaN体材料的应用前景、GaN材料的卤化物气相外延生长技术、采用GaN籽晶技术生长GaN体材料、采用真空辅助技术生长自支撑GaN衬底、采用卤化物气相外延生长技术生长非极性与半极性GaN、GaN高生长速率的金属有机物气相外延法、热氨法生长GaN体材料、高/低压环境下的GaN生长技术、Na流量法生在大尺寸GaN技术简介、GaN晶体的表征方法等内容。
书籍真实打分
故事情节:8分
人物塑造:3分
主题深度:5分
文字风格:8分
语言运用:3分
文笔流畅:5分
思想传递:3分
知识深度:4分
知识广度:3分
实用性:5分
章节划分:5分
结构布局:9分
新颖与独特:8分
情感共鸣:9分
引人入胜:5分
现实相关:8分
沉浸感:8分
事实准确性:6分
文化贡献:4分
网站评分
书籍多样性:8分
书籍信息完全性:3分
网站更新速度:3分
使用便利性:5分
书籍清晰度:4分
书籍格式兼容性:3分
是否包含广告:6分
加载速度:3分
安全性:4分
稳定性:7分
搜索功能:4分
下载便捷性:8分
下载点评
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